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日本产综研开发成功12nm超薄沟道双栅MOSFET-资讯非编台
发布时间:2022-11-01 11:28:12
来源:双业机械网
日本产综研开发成功12nm超薄沟道双栅MOSFET-资讯
日本产业综合研究所靖江(产综研)开发出了厚度仅12nm、具有超薄沟道的双栅MOS FET。并于1月18日在由NEDO(日本新能源产业技术综合开发机构)主办的“2006年度研究助成事业成果发布会”上进行了报告。 通常情况下晶体管微细、待机时的耗电就越大。这是由于源专业饲料漏极间的距离变小,使得通过底板的源-漏极间的漏电电流增大,以及栅绝缘膜变薄造成栅-漏极间的漏电电流增大引起的。针对这一问题,产综研通过具有超薄沟道的双栅结构来减小源-漏极间的漏电电流,同时还通过采用高电介常数(high-k)的栅绝缘膜来减小栅极漏电电流。 此前一般认为具有超薄沟道的双栅结构制造起来非常困难。此次在将沟道与硅底板垂直配置的同时,通过采用名光纤线缆为“IBRE(Ion Bombardment Retarded Etching)”的加工技术才得以试制成功(图1,图2)。在沟道厚度为12nm的情况下,S因数达到了69.8mV/位女装背心的良好效果。目前的建筑设备栅长度为100nm,栅绝缘膜厚度为5nm,因此工作电压在1V时的电流只有50μA/μm,但今后仍要继续改进。 对于high-k栅绝缘膜,尽管尚未装到双栅MOS FET上,但已经在普通MOS FET上显示出了良好效果。栅绝缘材料采用介电常数较大的La2O3,栅电极使用Ru。实现了SiO2换算膜厚度2nm以下,在p、n两沟道上达到了4位数以上的开关比。此外还开发出了面向竖型双栅MOS FET成膜的CVD工艺。(编辑 keil)
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